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Coles MOS-Feldeffekttransistoren at Bayshore Shopping Centre in Ottawa, ON
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MOS-Transistoren haben seit ihrem Aufkommen in den 60er Jahren die Ent- wicklung der Mikroelektronik auf das Nachhaltigste beeinfluBt: Dank einer Reihe von Vorziigen gegeniiber dem Bipolartransistor erlauben sie heute Inte- grationsgrade im VLSI- und ULSI-Bereich, die mit anderen Halbleiterbauele- menten nicht erreichbar sind. Aber auch als Leistungsbauelemente konnten sie sich - nach anfanglichen Schwierigkeiten - schlieBlich iiberzeugend durchsetzen. Diese Bedeutung war Grund genug, dem MOS-Transistor einen eigenen Band der Reihe "Halb- leiter-Elektronik" zu widmen. Das Buch beginnt mit einer einfUhrend-zusammenfassenden Betrachtung der MOS-Kapazitat als Grundlage des MOS Transistors. Der Schwerpunkt des Buches liegt auf der Modellierung des MOS-Transistors unter verschieden- sten Gesichtspunkten: Gleichstrommodelle der unterschiedlichsten MOSFET- Arten, Einbezug verschiedener physik ali scher Effekte, Submikrometermo- delle, Modellierung fUr unterschiedliche Betriebsbedingungen; Modelle fUr das Wechselstrom- und Impulsverhalten; Modellierung fUr die Schaltungs- simulation. Ein weiterer Teil ist den unterschiedlichen Transistorbauformen und Technologieaspekten gewidmet: CMOS-, SOI-Strukturen, Speicher-FET's und Leistungselemente. Das Buch wendet sich an drei Leserkategorien: Ingenieure und Naturwis- senschaftler in der Halbleiterentwicklung, Schaltungsentwerfer und Studenten der Elektrotechnik und Physik mit Interesse am MOSFET und seinen Anwen- dungen. Dabei wurde versucht, sowohl einfUhrende als auch Fortschritts- aspekte zu beriicksichtigen. Vorausgesetzt werden lediglich Halbleitergrund- kenntnisse, wie sie beispielsweise durch den Band 1 dieser Reihe ausreichend geboten werden. Mein Dank gilt insbesondere den Herausgebern der Reihe, den Herren Prof. Dr. W. Heywang und Prof. Dr. R. Miiller fUr fordernde Diskussionen zu diesem Projekt, vor aHem aber auch fUr die geduldige Nachsicht, daB das Manuskript nicht so rasch abgeschlossen werden konnte, wie urspriinglich geplant.
MOS-Transistoren haben seit ihrem Aufkommen in den 60er Jahren die Ent- wicklung der Mikroelektronik auf das Nachhaltigste beeinfluBt: Dank einer Reihe von Vorziigen gegeniiber dem Bipolartransistor erlauben sie heute Inte- grationsgrade im VLSI- und ULSI-Bereich, die mit anderen Halbleiterbauele- menten nicht erreichbar sind. Aber auch als Leistungsbauelemente konnten sie sich - nach anfanglichen Schwierigkeiten - schlieBlich iiberzeugend durchsetzen. Diese Bedeutung war Grund genug, dem MOS-Transistor einen eigenen Band der Reihe "Halb- leiter-Elektronik" zu widmen. Das Buch beginnt mit einer einfUhrend-zusammenfassenden Betrachtung der MOS-Kapazitat als Grundlage des MOS Transistors. Der Schwerpunkt des Buches liegt auf der Modellierung des MOS-Transistors unter verschieden- sten Gesichtspunkten: Gleichstrommodelle der unterschiedlichsten MOSFET- Arten, Einbezug verschiedener physik ali scher Effekte, Submikrometermo- delle, Modellierung fUr unterschiedliche Betriebsbedingungen; Modelle fUr das Wechselstrom- und Impulsverhalten; Modellierung fUr die Schaltungs- simulation. Ein weiterer Teil ist den unterschiedlichen Transistorbauformen und Technologieaspekten gewidmet: CMOS-, SOI-Strukturen, Speicher-FET's und Leistungselemente. Das Buch wendet sich an drei Leserkategorien: Ingenieure und Naturwis- senschaftler in der Halbleiterentwicklung, Schaltungsentwerfer und Studenten der Elektrotechnik und Physik mit Interesse am MOSFET und seinen Anwen- dungen. Dabei wurde versucht, sowohl einfUhrende als auch Fortschritts- aspekte zu beriicksichtigen. Vorausgesetzt werden lediglich Halbleitergrund- kenntnisse, wie sie beispielsweise durch den Band 1 dieser Reihe ausreichend geboten werden. Mein Dank gilt insbesondere den Herausgebern der Reihe, den Herren Prof. Dr. W. Heywang und Prof. Dr. R. Miiller fUr fordernde Diskussionen zu diesem Projekt, vor aHem aber auch fUr die geduldige Nachsicht, daB das Manuskript nicht so rasch abgeschlossen werden konnte, wie urspriinglich geplant.
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